Společnost Samsung Electronics, světový lídr v oblasti vyspělých paměťových technologií, představuje vysoce výkonné 128GB 3bit NAND úložiště pro mobilní zařízení, které je založeno na technologii Embedded MultiMediaCard (eMMC) 5.0. Vlajkové lodi mezi smartphony už přecházejí na 128GB paměťové úložiště na standardech Universal Flash Storage(UFS) 2.0 nebo eMMC 5.1. Stejně i smartphony střední kategorie budou nyní moci zvýšit svoji kapacitu na 128 GB díky novému úložišti Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Tento paměťový čip má největší kapacitu v rámci standardu eMMC 5.0.
"Očekáváme, že uvedením naší série 3bit eMMC 5.0 na bázi NAND se dostaneme do vedení v expanzi vysokokapacitních mobilních úložišť. Pokračujeme v rozvoji naší nabídky mobilních pamětí s vylepšeným výkonem a vyšší kapacitou, která uspokojí rostoucí poptávku zákazníků napříč celým odvětvím mobilních telefonů,"řekl Dr. Jung-Bae Lee, senior viceprezident týmu Memory Product Planning and Application Engineering ve společnosti Samsung Electronics.
Sekvenční čtení dat nového 128GB eMMC 5.0 úložiště od společnosti Samsung probíhá rychlostí 260 MB/s. Jde o stejný výkon jako v případě paměti MLC eMMC 5.1 na bázi NAND. Náhodný výkon čtení a zápisu je 6000 IOPS, resp. 5000 IOPS, což je dostačující rychlost pro podporu videí s vysokým rozlišením a pro pokročilé multitaskingové funkce. Ve srovnání s externími paměťovými kartami jsou tyto rychlosti čtení a zápisu přibližně 4krát a 10krát vyšší.
Zdroj: Samsung
